Nitrures semiconducteurs III-V pour l’optoélectronique : Amélioration des propriétés optiques par traitement SiN

Description

Ce livre présente au lecteur le fruit d’une expérience acquise pendant plus d’une vingtaine d’années dans le développement et l’élaboration des nitrures III-V. Il expose d’une façon simple les détails nécessaires pour réussir l’élaboration des nitrures sur substrat saphir traité SiN et l’amélioration notable de leurs propriétés optiques qui influent directement sur le rendement des composants optoélectroniques tels que les diodes électroluminescentes (LEDs) et les diodes lasers (DLs) à base de nitrures. Les caractérisations par réflectivité à multi-longueurs d’onde, par éllipsométrie, par photoréflectivité et par photoluminescence montrent l’impact du traitement SiN sur l’amélioration des propriétés optiques des couches GaN. En outre, le mécanisme d’incorporation d’aluminium dans les couches AlxGa1-xN de faible composition (x < 30 %), utilisées comme couches de confinement, agit directement sur la réponse optique de ces couches. D’un autre côté, le traitement SiN a un impact favorable sur l’incorporation d’indium dans les puits quantiques InxGa1-xN/GaN:Si et par la suite sur leurs propriétés optiques. Enfin, le traitement SiN qui est une technique, fiable, facile à utiliser et de faible coût, permet ainsi de réduire significativement la densité des défauts et donc l’amélioration du rendement optique des dispositifs à base des nitrures.